P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SOT-26 Taiwan Semi TSM3457CX6 RFG
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,52 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 10 | P.O.A. |
| 20 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 190 | P.O.A. |
| 200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,52 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре