Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1050 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
15 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.55 x 4.65 x 16.07мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
High Voltage NPN Transistors, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1050 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
15 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.55 x 4.65 x 16.07мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре