Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
TO-126
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
10 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
7.5 x 2.55 x 10.85мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
TO-126
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
10 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
7.5 x 2.55 x 10.85мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China