Taiwan Semiconductor BZT55C3V6 L0 / L1 Диод Зенера (стабилитрон)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
3.6V
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
Quadro MiniMelf
Тип диода Зенера
Регулятор напряжения
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
6%
Число контактов
2
Испытательный ток
5mA
Максимальный импеданс Зенера
85Ом
Максимальный обратный ток утечки
2мкА
Размеры
3.7 x 1.6 x 1.8мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 100 - 100 | P.O.A. |
| 200 - 200 | P.O.A. |
| 300 - 300 | P.O.A. |
| 400 - 400 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
3.6V
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
Quadro MiniMelf
Тип диода Зенера
Регулятор напряжения
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
6%
Число контактов
2
Испытательный ток
5mA
Максимальный импеданс Зенера
85Ом
Максимальный обратный ток утечки
2мкА
Размеры
3.7 x 1.6 x 1.8мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+200 °C