Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3 x 1.4 x 1.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3 x 1.4 x 1.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре