Taiwan Semiconductor BC847B RF Транзистор

Код товара RS: 169-9291Бренд: Taiwan SemiconductorПарт-номер производителя: BC847B RF
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

100mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

45V

Корпус

SOT-23

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

50V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250mW

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

200

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

6V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная частота перехода (ft)

100MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.64 mm

Материал каски/сварочной маски

1.12мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BC847

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Taiwan Semiconductor

Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Taiwan Semiconductor BC847B RF Транзистор

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

Taiwan Semiconductor BC847B RF Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

100mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

45V

Корпус

SOT-23

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

50V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250mW

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

200

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

6V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная частота перехода (ft)

100MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.64 mm

Материал каски/сварочной маски

1.12мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BC847

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Taiwan Semiconductor

Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor

Вас может заинтересовать