Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
100mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
65V
Корпус
SOT-23
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250mW
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
100
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
2.64 mm
Длина
3.04мм
Материал каски/сварочной маски
1.12мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BC846
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 5 587,50
тг 22,35 Each (In a Pack of 250) (ex VAT)
Стандартная упаковка
250
тг 5 587,50
тг 22,35 Each (In a Pack of 250) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
250
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 250 - 500 | тг 22,35 | тг 5 587,50 |
| 750 - 1250 | тг 17,88 | тг 4 470,00 |
| 1500 - 2750 | тг 13,41 | тг 3 352,50 |
| 3000 - 5750 | тг 13,41 | тг 3 352,50 |
| 6000+ | тг 8,94 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
100mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
65V
Корпус
SOT-23
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250mW
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
100
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
2.64 mm
Длина
3.04мм
Материал каски/сварочной маски
1.12мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BC846
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
