Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Матрица транзисторов Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
500mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1.6V
Корпус
QFN
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
48
Количество элементов на ИС
5
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
1000
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.1V
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
1.6V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
6.6 mm
Длина
5.1мм
Серия
ULN2003
Материал каски/сварочной маски
1.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Матрица транзисторов Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
500mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1.6V
Корпус
QFN
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
48
Количество элементов на ИС
5
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
1000
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.1V
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
1.6V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
6.6 mm
Длина
5.1мм
Серия
ULN2003
Материал каски/сварочной маски
1.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
