STMicroelectronics TIP50 NPN Transistor, 1 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
10 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 95 | P.O.A. |
| 100 - 245 | P.O.A. |
| 250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
10 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.