STMicroelectronics Transistor, 1 A NPN, 250 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 485-9834Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: TIP47
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

1A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

250V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

350V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Максимальная частота перехода (ft)

10MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 139,85

тг 227,97 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 1 A NPN, 250 V, 3-Pin TO-220

тг 1 139,85

тг 227,97 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 1 A NPN, 250 V, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 227,97тг 1 139,85
25 - 45тг 156,45тг 782,25
50 - 95тг 156,45тг 782,25
100 - 245тг 107,28тг 536,40
250+тг 102,81тг 514,05
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

1A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

250V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

350V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Максимальная частота перехода (ft)

10MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать