Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-25A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-100V
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
10
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Максимальная частота перехода (ft)
3MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP36C
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors
ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 3 419,55
тг 683,91 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 3 419,55
тг 683,91 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 683,91 | тг 3 419,55 |
| 25 - 45 | тг 563,22 | тг 2 816,10 |
| 50 - 95 | тг 554,28 | тг 2 771,40 |
| 100 - 245 | тг 451,47 | тг 2 257,35 |
| 250+ | тг 442,53 | тг 2 212,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-25A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-100V
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
10
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Максимальная частота перехода (ft)
3MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP36C
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors
ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
