Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
25A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
10
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Максимальная частота перехода (ft)
3MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP35C
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors
ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 679,44
тг 679,44 Each (ex VAT)
1
тг 679,44
тг 679,44 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 679,44 |
| 10 - 49 | тг 567,69 |
| 50 - 99 | тг 554,28 |
| 100 - 249 | тг 455,94 |
| 250+ | тг 442,53 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
25A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
10
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Максимальная частота перехода (ft)
3MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
34.95мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP35C
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors
ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
