STMicroelectronics TIP35C NPN Transistor, 25 A, 100 V, 3-Pin TO-247
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
25 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
3 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20.15 x 15.75 x 5.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors
ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 49 | P.O.A. |
| 50 - 99 | P.O.A. |
| 100 - 249 | P.O.A. |
| 250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
25 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
3 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20.15 x 15.75 x 5.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors
ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.