Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 210,09
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 210,09
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 210,09 | тг 1 050,45 |
25 - 45 | тг 147,51 | тг 737,55 |
50 - 95 | тг 143,04 | тг 715,20 |
100 - 245 | тг 98,34 | тг 491,70 |
250+ | тг 93,87 | тг 469,35 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.