Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальная рабочая частота
3 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20.15 x 15.75 x 5.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальная рабочая частота
3 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20.15 x 15.75 x 5.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.