STMicroelectronics TIP3055 Транзистор

Код товара RS: 168-6168Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: TIP3055
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

15 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальная рабочая частота

3 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

20.15 x 15.75 x 5.15мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics TIP3055 Транзистор

P.O.A.

STMicroelectronics TIP3055 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

15 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальная рабочая частота

3 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

20.15 x 15.75 x 5.15мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.