STMicroelectronics TIP122 Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
5A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
1000
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
65W
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP122
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
TIP122 Darlington Transistors
STMicroelectronics presents its TIP122 range of Darlington pairs. Darlington pairs or transistors are a package of two standard BJT transistors that are used to amplify weak signals from one circuit to another circuit or microprocessor.
The TIP122 devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
5A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
1000
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
65W
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP122
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
TIP122 Darlington Transistors
STMicroelectronics presents its TIP122 range of Darlington pairs. Darlington pairs or transistors are a package of two standard BJT transistors that are used to amplify weak signals from one circuit to another circuit or microprocessor.
The TIP122 devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.