STMicroelectronics TIP122 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 103-1078Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: TIP122
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

9.15мм

Ширина

4.6мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Информация о товаре

TIP122 Darlington Transistors

STMicroelectronics presents its TIP122 range of Darlington pairs. Darlington pairs or transistors are a package of two standard BJT transistors that are used to amplify weak signals from one circuit to another circuit or microprocessor.

The TIP122 devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics TIP122 Пара Дарлингтона

P.O.A.

STMicroelectronics TIP122 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

9.15мм

Ширина

4.6мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Информация о товаре

TIP122 Darlington Transistors

STMicroelectronics presents its TIP122 range of Darlington pairs. Darlington pairs or transistors are a package of two standard BJT transistors that are used to amplify weak signals from one circuit to another circuit or microprocessor.

The TIP122 devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.