STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 2 A 100 V HFE:500, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 436-9779Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: TIP112
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

2A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

500

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

50W

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

TIP112

Максимальный запирающий ток коллектора

1mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 698,60

тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 2 A 100 V HFE:500, 3-Pin TO-220

тг 1 698,60

тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 2 A 100 V HFE:500, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 169,86тг 1 698,60
50 - 90тг 160,92тг 1 609,20
100 - 240тг 111,75тг 1 117,50
250 - 490тг 111,75тг 1 117,50
500+тг 102,81тг 1 028,10

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

2A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

500

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

50W

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

TIP112

Максимальный запирающий ток коллектора

1mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.