STMicroelectronics STR1550 Транзистор

Код товара RS: 165-6841Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STR1550
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

500mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

500V

Корпус

SOT-23

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

500V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

500mW

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

3 mm

Материал каски/сварочной маски

1.4мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

STR

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STR1550 Транзистор

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STR1550 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

500mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

500V

Корпус

SOT-23

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

500V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

500mW

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

3 mm

Материал каски/сварочной маски

1.4мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

STR

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.