STMicroelectronics STR1550 Транзистор

Код товара RS: 165-6841Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STR1550
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

500 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

500 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 1.75 x 1.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STR1550 Транзистор

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STR1550 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

500 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

500 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 1.75 x 1.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.