STMicroelectronics STN9360 Транзистор

Код товара RS: 145-8939Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STN9360
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

120

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

-7 В

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STN9360 Транзистор

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STN9360 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

120

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

-7 В

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.