Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
1.5A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
400V
Корпус
SOT-223
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
4
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
Число контактов
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.7мм
Материал каски/сварочной маски
1.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
STN83003
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
1.5A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
400V
Корпус
SOT-223
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
4
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
Число контактов
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.7мм
Материал каски/сварочной маски
1.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
STN83003
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
