Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
535W
Число контактов
3
Скорость переключения
5μs
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
H
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
535W
Число контактов
3
Скорость переключения
5μs
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
H
Автомобильный стандарт
Нет
