STMicroelectronics STGWT60H65DFB IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
80A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
375W
Корпус
TO-3P
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
HB
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
80A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
375W
Корпус
TO-3P
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
HB
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.