STMicroelectronics STGWT30H60DFB IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Код товара RS: 860-7325Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGWT30H60DFB
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

260 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 14.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 735,64

тг 1 367,82 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWT30H60DFB IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 735,64
4тг 5 471,28
6тг 8 206,92
8тг 10 942,56
10тг 13 678,20
12тг 16 413,84
14тг 19 149,48
16тг 21 885,12
18тг 24 620,76
20тг 22 439,40
22тг 24 683,34
24тг 26 927,28
26тг 29 171,22
28тг 31 415,16
30тг 33 659,10

тг 2 735,64

тг 1 367,82 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWT30H60DFB IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 735,64
4тг 5 471,28
6тг 8 206,92
8тг 10 942,56
10тг 13 678,20
12тг 16 413,84
14тг 19 149,48
16тг 21 885,12
18тг 24 620,76
20тг 22 439,40
22тг 24 683,34
24тг 26 927,28
26тг 29 171,22
28тг 31 415,16
30тг 33 659,10

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 1 367,82тг 2 735,64
20 - 48тг 1 121,97тг 2 243,94
50 - 98тг 1 099,62тг 2 199,24
100 - 248тг 974,46тг 1 948,92
250+тг 902,94тг 1 805,88

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

260 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 14.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.