STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

Код товара RS: 206-7211Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGWA75H65DFB2
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

115 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Тип корпуса

TO-247

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

115 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Тип корпуса

TO-247

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный