STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG IGBT, 87 A 650 V, 3-Pin TO-247 LL, Through Hole

Код товара RS: 330-470Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGWA30M65DF2AG
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

87A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

441W

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-247 LL

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

15.8 mm

Длина

19.92мм

Материал каски/сварочной маски

21мм

Стандарты/одобрения

AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG IGBT, 87 A 650 V, 3-Pin TO-247 LL, Through Hole

P.O.A.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG IGBT, 87 A 650 V, 3-Pin TO-247 LL, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

87A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

441W

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-247 LL

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

15.8 mm

Длина

19.92мм

Материал каски/сварочной маски

21мм

Стандарты/одобрения

AEC-Q101

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China