STMicroelectronics STGWA30IH65DF, Type N-Channel IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 206-8630Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGWA30IH65DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

60A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

108W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

4

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.05V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

15.9мм

Материал каски/сварочной маски

5.1мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

STG

Автомобильный стандарт

Нет

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWA30IH65DF, Type N-Channel IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGWA30IH65DF, Type N-Channel IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

60A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

108W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

4

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.05V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

15.9мм

Материал каски/сварочной маски

5.1мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

STG

Автомобильный стандарт

Нет