STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole

Код товара RS: 165-3259Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW8M120DF3
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

16 А при +25 °C

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Тип корпуса

TO

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

542пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

1.24mJ

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

16 А при +25 °C

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Тип корпуса

TO

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

542пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

1.24mJ