STMicroelectronics STGW80H65DFB IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 792-5814Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW80H65DFB
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

120 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

469 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 887,62

тг 2 887,62 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STGW80H65DFB IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 887,62
2тг 5 775,24
3тг 8 662,86
4тг 11 550,48
5тг 14 438,10
6тг 17 325,72
7тг 20 213,34
8тг 23 100,96
9тг 25 988,58
10тг 28 876,20
11тг 31 763,82
12тг 34 651,44
13тг 37 539,06
14тг 40 426,68
15тг 43 314,30

тг 2 887,62

тг 2 887,62 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STGW80H65DFB IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 887,62
2тг 5 775,24
3тг 8 662,86
4тг 11 550,48
5тг 14 438,10
6тг 17 325,72
7тг 20 213,34
8тг 23 100,96
9тг 25 988,58
10тг 28 876,20
11тг 31 763,82
12тг 34 651,44
13тг 37 539,06
14тг 40 426,68
15тг 43 314,30

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 887,62
25 - 99тг 2 369,10
100 - 249тг 2 136,66
250+тг 1 971,27

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

120 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

469 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.