STMicroelectronics STGW60V60DF IGBT

Код товара RS: 168-7005Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW60V60DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

60A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

375W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Trench Gate Field Stop

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGW60V60DF IGBT

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STGW60V60DF IGBT

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

60A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

375W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Trench Gate Field Stop

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.