STMicroelectronics STGW60V60DF, Type N-Channel IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
60A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
375W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Trench Gate Field Stop
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 11 599,65
тг 2 319,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 11 599,65
тг 2 319,93 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 2 319,93 | тг 11 599,65 |
| 50 - 145 | тг 1 801,41 | тг 9 007,05 |
| 150 - 295 | тг 1 470,63 | тг 7 353,15 |
| 300 - 595 | тг 1 251,60 | тг 6 258,00 |
| 600+ | тг 1 148,79 | тг 5 743,95 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
60A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
375W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.3V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Trench Gate Field Stop
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.