STMicroelectronics STGW60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 792-5802Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW60H65DFB
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

80A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

375W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Серия

H

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 038,32

тг 2 038,32 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STGW60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 038,32
2тг 4 076,64
3тг 6 114,96
4тг 8 153,28
5тг 10 191,60
6тг 12 229,92
7тг 14 268,24
8тг 16 306,56
9тг 18 344,88
10тг 20 383,20
11тг 22 421,52
12тг 24 459,84
13тг 26 498,16
14тг 28 536,48
15тг 30 574,80

тг 2 038,32

тг 2 038,32 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STGW60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 038,32
2тг 4 076,64
3тг 6 114,96
4тг 8 153,28
5тг 10 191,60
6тг 12 229,92
7тг 14 268,24
8тг 16 306,56
9тг 18 344,88
10тг 20 383,20
11тг 22 421,52
12тг 24 459,84
13тг 26 498,16
14тг 28 536,48
15тг 30 574,80

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 038,32
25 - 99тг 1 640,49
100 - 249тг 1 457,22
250+тг 1 345,47

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

80A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

375W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Серия

H

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.