STMicroelectronics STGW40H65FB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 792-5805Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW40H65FB
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

80A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

283W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

15.75мм

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

H

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 407,42

тг 2 203,71 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW40H65FB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 407,42
4тг 8 814,84
6тг 13 222,26
8тг 17 629,68
10тг 22 037,10
12тг 26 444,52
14тг 30 851,94
16тг 35 259,36
18тг 39 666,78
20тг 44 074,20
22тг 48 481,62
24тг 52 889,04
26тг 46 371,78
28тг 49 938,84
30тг 53 505,90

тг 4 407,42

тг 2 203,71 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW40H65FB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 407,42
4тг 8 814,84
6тг 13 222,26
8тг 17 629,68
10тг 22 037,10
12тг 26 444,52
14тг 30 851,94
16тг 35 259,36
18тг 39 666,78
20тг 44 074,20
22тг 48 481,62
24тг 52 889,04
26тг 46 371,78
28тг 49 938,84
30тг 53 505,90

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 24тг 2 203,71тг 4 407,42
26 - 98тг 1 783,53тг 3 567,06
100 - 248тг 1 586,85тг 3 173,70
250 - 498тг 1 466,16тг 2 932,32
500+тг 1 318,65тг 2 637,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

80A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

283W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

15.75мм

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

H

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.