STMicroelectronics STGW40H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 792-5795Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW40H65DFB
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

80A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

283W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Серия

H

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 120,06

тг 1 560,03 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW40H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 120,06
4тг 6 240,12
6тг 9 360,18
8тг 12 480,24
10тг 15 600,30
12тг 18 720,36
14тг 21 840,42
16тг 24 960,48
18тг 28 080,54
20тг 31 200,60
22тг 34 320,66
24тг 37 440,72
26тг 32 657,82
28тг 35 169,96
30тг 37 682,10

тг 3 120,06

тг 1 560,03 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW40H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 120,06
4тг 6 240,12
6тг 9 360,18
8тг 12 480,24
10тг 15 600,30
12тг 18 720,36
14тг 21 840,42
16тг 24 960,48
18тг 28 080,54
20тг 31 200,60
22тг 34 320,66
24тг 37 440,72
26тг 32 657,82
28тг 35 169,96
30тг 37 682,10

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 24тг 1 560,03тг 3 120,06
26 - 98тг 1 256,07тг 2 512,14
100 - 248тг 1 117,50тг 2 235,00
250 - 498тг 1 032,57тг 2 065,14
500+тг 925,29тг 1 850,58

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

80A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

283W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Стандарты/одобрения

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Серия

H

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.