STMicroelectronics STGW30V60F, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 791-7633Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGW30V60F
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

30A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

260W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

V

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 6 190,95

тг 1 238,19 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW30V60F, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 6 190,95
10тг 12 381,90
15тг 18 572,85
20тг 24 763,80
25тг 30 954,75
30тг 37 145,70
35тг 43 336,65
40тг 49 527,60
45тг 55 718,55
50тг 50 064,00
55тг 55 070,40
60тг 60 076,80
65тг 65 083,20
70тг 70 089,60
75тг 75 096,00

тг 6 190,95

тг 1 238,19 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGW30V60F, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 6 190,95
10тг 12 381,90
15тг 18 572,85
20тг 24 763,80
25тг 30 954,75
30тг 37 145,70
35тг 43 336,65
40тг 49 527,60
45тг 55 718,55
50тг 50 064,00
55тг 55 070,40
60тг 60 076,80
65тг 65 083,20
70тг 70 089,60
75тг 75 096,00

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 1 238,19тг 6 190,95
50 - 145тг 1 001,28тг 5 006,40
150 - 295тг 885,06тг 4 425,30
300 - 595тг 759,90тг 3 799,50
600+тг 710,73тг 3 553,65
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

30A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

260W

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.3V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

V

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать