STMicroelectronics STGW20NC60VD, Type N-Channel IGBT, 54 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
54A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
167W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
70ns
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.7V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
JEDEC
Серия
SMPS
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 515,33
тг 1 515,33 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 515,33
тг 1 515,33 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 1 515,33 |
| 5 - 9 | тг 1 479,57 |
| 10 - 19 | тг 1 247,13 |
| 20 - 49 | тг 1 220,31 |
| 50+ | тг 1 193,49 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
54A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
167W
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
70ns
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
±20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.7V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
JEDEC
Серия
SMPS
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.