STMicroelectronics STGP3HF60HD IGBT, 7.5 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Код товара RS: 829-4379Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGP3HF60HD
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

7,5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGP3HF60HD IGBT, 7.5 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 726,70
10тг 5 453,40
15тг 8 180,10
20тг 10 906,80
25тг 10 504,50
30тг 12 605,40
35тг 14 706,30
40тг 16 807,20
45тг 18 908,10
50тг 21 009,00
55тг 23 109,90
60тг 25 210,80
65тг 27 311,70
70тг 29 412,60
75тг 31 513,50

тг 2 726,70

тг 545,34 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGP3HF60HD IGBT, 7.5 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 726,70
10тг 5 453,40
15тг 8 180,10
20тг 10 906,80
25тг 10 504,50
30тг 12 605,40
35тг 14 706,30
40тг 16 807,20
45тг 18 908,10
50тг 21 009,00
55тг 23 109,90
60тг 25 210,80
65тг 27 311,70
70тг 29 412,60
75тг 31 513,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 545,34тг 2 726,70
25 - 95тг 420,18тг 2 100,90
100 - 245тг 371,01тг 1 855,05
250 - 495тг 317,37тг 1 586,85
500+тг 290,55тг 1 452,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

7,5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.