STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
147 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220
50
P.O.A.
STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
147 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Страна происхождения
China