Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
5A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Количество транзисторов
6
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
9W
Конфигурация
Гаечный ключ L
Корпус
NSDIP-26L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
26
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
UL 1434 CA 2 and 4
Длина
29.15мм
Материал каски/сварочной маски
3.45мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
5A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Количество транзисторов
6
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
9W
Конфигурация
Гаечный ключ L
Корпус
NSDIP-26L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
26
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
UL 1434 CA 2 and 4
Длина
29.15мм
Материал каски/сварочной маски
3.45мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
