Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
15A
Тип продукции
Модуль IGBT
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
33W
Количество транзисторов
6
Корпус
SDIP2F
Конфигурация
Трехфазный
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
26
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.95V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
38мм
Материал каски/сварочной маски
3.5мм
Стандарты/одобрения
UL1557
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 13) (ex VAT)
13
P.O.A.
Each (In a Tube of 13) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
13
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
15A
Тип продукции
Модуль IGBT
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
33W
Количество транзисторов
6
Корпус
SDIP2F
Конфигурация
Трехфазный
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
26
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.95V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
38мм
Материал каски/сварочной маски
3.5мм
Стандарты/одобрения
UL1557
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
