Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
260W
Корпус
H2PAK-2
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.55V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.7мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
STGH30H65DFB
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
260W
Корпус
H2PAK-2
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.55V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.7мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
STGH30H65DFB
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
