STMicroelectronics IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole

Name: STMicroelectronics IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2484893

Код товара RS: 248-4893Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGH30H65DFB-2AG

Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

30A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

260W

Корпус

H2PAK-2

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.55V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.7мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

STGH30H65DFB

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole

1000

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

30A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

260W

Корпус

H2PAK-2

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.55V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.7мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

STGH30H65DFB

Автомобильный стандарт

AEC-Q101