STMicroelectronics STGD5NB120SZT4, Type N-Channel IGBT, 5 A 1200 V, 3-Pin TO-252, Surface

Код товара RS: 877-2879Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGD5NB120SZT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

5A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

1200V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

690ns

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

6.4 mm

Материал каски/сварочной маски

2.2мм

Длина

6.2мм

Стандарты/одобрения

JEDEC JESD97, ECOPACK

Серия

H

Номинальная энергия

12.68mJ

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 838,45

тг 567,69 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD5NB120SZT4, Type N-Channel IGBT, 5 A 1200 V, 3-Pin TO-252, Surface
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 838,45
10тг 5 676,90
15тг 8 515,35
20тг 11 353,80
25тг 11 398,50
30тг 13 678,20
35тг 15 957,90
40тг 18 237,60
45тг 20 517,30
50тг 22 797,00
55тг 25 076,70
60тг 27 356,40
65тг 29 636,10
70тг 31 915,80
75тг 34 195,50

тг 2 838,45

тг 567,69 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD5NB120SZT4, Type N-Channel IGBT, 5 A 1200 V, 3-Pin TO-252, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 838,45
10тг 5 676,90
15тг 8 515,35
20тг 11 353,80
25тг 11 398,50
30тг 13 678,20
35тг 15 957,90
40тг 18 237,60
45тг 20 517,30
50тг 22 797,00
55тг 25 076,70
60тг 27 356,40
65тг 29 636,10
70тг 31 915,80
75тг 34 195,50

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 567,69тг 2 838,45
25 - 620тг 455,94тг 2 279,70
625 - 1245тг 330,78тг 1 653,90
1250 - 2495тг 295,02тг 1 475,10
2500+тг 277,14тг 1 385,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

5A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

1200V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

690ns

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

6.4 mm

Материал каски/сварочной маски

2.2мм

Длина

6.2мм

Стандарты/одобрения

JEDEC JESD97, ECOPACK

Серия

H

Номинальная энергия

12.68mJ

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.