STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 IGBT, 10 A 1200 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Код товара RS: 877-2879Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGD5NB120SZT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Номинальная энергия

12.68mJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

430пФ

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 2 838,45

тг 567,69 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 IGBT, 10 A 1200 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 838,45
10тг 5 676,90
15тг 8 515,35
20тг 11 353,80
25тг 11 398,50
30тг 13 678,20
35тг 15 957,90
40тг 18 237,60
45тг 20 517,30
50тг 22 797,00
55тг 25 076,70
60тг 27 356,40
65тг 29 636,10
70тг 31 915,80
75тг 34 195,50

тг 2 838,45

тг 567,69 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 IGBT, 10 A 1200 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 838,45
10тг 5 676,90
15тг 8 515,35
20тг 11 353,80
25тг 11 398,50
30тг 13 678,20
35тг 15 957,90
40тг 18 237,60
45тг 20 517,30
50тг 22 797,00
55тг 25 076,70
60тг 27 356,40
65тг 29 636,10
70тг 31 915,80
75тг 34 195,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 567,69тг 2 838,45
25 - 620тг 455,94тг 2 279,70
625 - 1245тг 330,78тг 1 653,90
1250 - 2495тг 295,02тг 1 475,10
2500+тг 277,14тг 1 385,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Номинальная энергия

12.68mJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

430пФ

Страна происхождения

China

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.