STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Код товара RS: 287-7045Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGD4H60DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-252

Конфигурация

Одиночный коллектор

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.7V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

1.7мм

Материал каски/сварочной маски

2.3мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Ширина

6.7 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-252

Конфигурация

Одиночный коллектор

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.7V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

1.7мм

Материал каски/сварочной маски

2.3мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Ширина

6.7 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China