STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Код товара RS: 287-7044Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGD4H60DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-252

Конфигурация

Одиночный коллектор

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.7V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

1.7мм

Материал каски/сварочной маски

2.3мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-252

Конфигурация

Одиночный коллектор

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.7V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

1.7мм

Материал каски/сварочной маски

2.3мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China