Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
4A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
75W
Количество транзисторов
1
Корпус
TO-252
Конфигурация
Одиночный коллектор
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.7V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
1.7мм
Материал каски/сварочной маски
2.3мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
4A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
600V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
75W
Количество транзисторов
1
Корпус
TO-252
Конфигурация
Одиночный коллектор
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.7V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
1.7мм
Материал каски/сварочной маски
2.3мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
