STMicroelectronics STGD19N40LZ IGBT, 25 A 425 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Код товара RS: 791-9330Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGD19N40LZ
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

25 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

425 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±16V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGD19N40LZ IGBT, 25 A 425 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STGD19N40LZ IGBT, 25 A 425 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 45P.O.A.
50 - 245P.O.A.
250 - 995P.O.A.
1000 - 2495P.O.A.
2500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

25 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

425 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±16V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.