Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
86A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Количество транзисторов
1
Корпус
TO-263
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
86A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
650V
Количество транзисторов
1
Корпус
TO-263
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
