STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Код товара RS: 204-9869Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB50H65FB2
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

86 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

272 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Число контактов

3

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

86 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

272 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Число контактов

3

Страна происхождения

China