STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-263

Код товара RS: 204-9869Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB50H65FB2
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

86A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-263

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Страна происхождения

China

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-263

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-263

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

86A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

650V

Количество транзисторов

1

Корпус

TO-263

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

20 V

Страна происхождения

China