STMicroelectronics STGB3NC120HDT4, Type N-Channel IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
14A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
75W
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
15ns
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.8V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
16мм
Материал каски/сварочной маски
1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
14A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
75W
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
15ns
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.8V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
16мм
Материал каски/сварочной маски
1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China